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BTA41-600B 详细资料
BTA41-600BST TO-3P2017+233原装现货


BTA41-600B参数介绍如下:

《可控硅型号》:BTA41-600B和BTA41-600BRG

《 可控硅封装》:TO-3P《insulated》绝缘

《控制方式》 :双 向

《频率特性》:中频

《可控硅极数》:三 极

《关断速度》:高转换

《封装材料》:树 脂 封 装

《散热功能》:标准散热片

《功率特性》:标准大功率

《可控硅脚位排列》:T1-T2-G

《Tstg 储存温度》:-40℃-150℃

《Tj额定结温》:-40℃-125℃

《IGM Peak gate current》:4A

《IH IT=100mA维持电流》:<60mA

《VGT VD=12VRL=33Ω门极触发电压》:<1.3V

《(dV/dt)c Without snubber Tj=125℃》:>20V/μs

《IT(RMS) RMS on-statecurrent通态均方根电流》:40A

《IL IG=1.2IGT擎住电流》:Ⅰ-Ⅲ<80mA ; Ⅱ-IV<100mA

《R th(j-c) junction to case(AC)TO-3P(Ins)》:0.9℃/W

《VTM ITM=60A tp=380μs Tj=25℃峰值通态电压》:1.55V

《IRRM VD=VDRM VR=VRRM Tj=125℃反向重复峰值电流》:5mA

《IGTVD=12V RL=33Ω门极触发电流》:Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ<50m;IV<70mA

《IDRM VD=VDRM VR=VRRM Tj=25℃断态重复峰值电流》:10μA

《PG(AV) Average gate power dissipation门极平均值耗散功率》:1W

《dV/dt VD=2/3V DRM Gate OpenTj=125℃断态电压临界上升率 》:>1000V/μs

《VRRM Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃)反向断态重复峰值电压》:>600V

《VDRM Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃)正向断态重复峰值电压》:>600V

《I2t I2t value for fusing (tp=10ms)浪涌电流的平方在其持续时间内的积分值》:880A2s

《ITSM Non repetitive surge peak on-state current(full cycle, F=50Hz)浪涌电流》:400A

《dI/dt Critical rate of rise of on-state current(I G =2×I GT)通态电流临界上升率》:50A/μs


BTA41-600B外形尺寸图:

BTA41-600B外形尺寸图


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